一、电缆头击穿原因分析？
由于电缆头焊接后存生空穴造成通电后打火造成击穿。
二、值班报告原因分析？
从两个方面进行原因分析，一个是主观原因分析，对值班人员的具具体相关行为进行分析，另外一个是客观原因分析，对当时的周边环境及环向对比，进行分析
三、mos管击穿短路的原因分析？
mos管击穿短路原因分析如下：SOA失效（电流失效），既超出MOSFET安全工作区引起失效，分为Id超出器件规格失效以及Id过大，损耗过高器件长时间热积累而导致的失效。
四、相间避雷器击穿原因分析？
相间避雷器击穿原因有：
1、电压过高，超过避雷器的允许值。
2、接地存在问题
3、避雷器选择有问题。你可以先更换电压等级高一点的避雷器(如你的电压是10KV，可以安装17.5KV的避雷器)，然后在变压器低压侧加装低压避雷器。
4、使用达到一定时间后，因老化导致本体密封不好所致。
5、避雷器绝缘套污染所致
五、电梯主机烧坏原因分析？
1、变频器减速时间参数设定相对较小及未使用变频器减速过电压自处理功能。当变频器拖动大惯性负载时，其减速时间设定的比较小，在减速过程中，变频器输出频率下降的速度比较快，而负载惯性比较大，靠本身阻力减速比较慢，使负载拖动电动机的转速比变频器输出的频率所对应的转速还要高，电动机处于发电状态，而变频器没有能量处理单元或其作用有限，因而导致变频器中间直流回路电压升高，超出保护值，就会出现过电压跳闸故障。
六、IGBT击穿原因？
IGBT击穿一般是过压或者过流，还有就是过温了，门极电压超过规定的范围会导致G-E击穿，C-E间的电压超过Vces也会击穿，而且过压是很容易将IGBT击穿的，比如关断的时候电压尖峰过大，超过了Vces的电压就有可能击穿，而导致电压尖峰过大的原因主要是IGBT所在回路的寄生电感过大或者di/dt过大造成的，可以通过调整门极电阻来控制。
七、igbt击穿原因？
IGBT击穿一般是过压或者过流，还有就是过温了，门极电压超过规定的范围会导致G-E击穿，C-E间的电压超过Vces也会击穿，而且过压是很容易将IGBT击穿的，比如关断的时候电压尖峰过大，超过了Vces的电压就有可能击穿，而导致电压尖峰过大的原因主要是IGBT所在回路的寄生电感过大或者di/dt过大造成的，可以通过调整门极电阻来控制。
八、MOS击穿原因？
第一、MOS管本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压(U=Q/C)，将管子损坏。虽然MOS输入端有抗静电的保护措施，但仍需小心对待，在存储和运输中最好用金属容器或者导电材料包装，不要放在易产生静电高压的化工材料或化纤织物中。组装、调试时，工具、仪表、工作台等均应良好接地。要防止操作人员的静电干扰造成的损坏，如不宜穿尼龙、化纤衣服，手或工具在接触集成块前最好先接一下地。对器件引线矫直弯曲或人工焊接时，使用的设备必须良好接地。
第二、MOS电路输入端的保护二极管，其导通时电流容限一般为1mA 在可能出现过大瞬态输入电流(超过10mA)时，应串接输入保护电阻。而129#在初期设计时没有加入保护电阻，所以这也是MOS管可能击穿的原因，而通过更换一个内部有保护电阻的MOS管应可防止此种失效的发生。还有由于保护电路吸收的瞬间能量有限，太大的瞬间信号和过高的静电电压将使保护电路失去作用。所以焊接时电烙铁必须可靠接地，以防漏电击穿器件输入端，一般使用时，可断电后利用电烙铁的余热进行焊接，并先焊其接地管脚。
九、氧化锌避雷器击穿的原因分析？
通常氧化锌避雷器被击穿的原因有:1 该避雷器装置材料不过关，不能承受雷击时的大电流冲击，2 该避雷器的接地装置或接地电阻值不符合防雷接地标准等。
十、mos管击穿问题分析？
MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。
静电击穿有两种方式：一是电压型，即栅极的薄氧化层发生击穿，形成针孔，使栅极和源极间短路，或者使栅极和漏极间短路；二是功率型，即金属化薄膜铝条被熔断，造成栅极开路或者是源极开路。